手机芯片中提到的纳米制作工艺到底是什么？

那么制造工艺到底是什么呢？芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm来表示。现在的CPU内集成了以亿为单位的晶体管，这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成，电流从源极流入漏极，栅极则起到控制电流通断的作用。

而所谓的多少nm其实指的是，CPU的上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。台积电不是将其所有生产从新的7nm工艺转移到更小的5nm技术，而是扩大7nm容量以满足不断增长的需求，特别是来自5G无线设备的制造商。公司首席财务官Lora Ho预计5G智能手机和基站制造商的需求强劲，但不足以完全抵消对较旧的大型5G前部件的需求放缓。台积电现在为包括AMD和英特尔在内的公司生产芯片，三星是其最大和最先进的竞争对手

栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管——Intel曾经宣称将栅长从130nm减小到90nm时，晶体管所占得面积将减小一半；在芯片晶体管集成度相当的情况下，使用更先进的制造工艺，芯片的面积和功耗就越小，成本也越低。栅长可以分为光刻栅长和实际栅长，光刻栅长则是由光刻技术所决定的。由于在光刻中光存在衍射现象以及芯片制造中还要经历离子注入、蚀刻、等离子冲洗、热处理等步骤，因此会导致光刻栅长和实际栅长不一致的情况

归根结底，未来会出现几纳米的制造工艺尚不确定，但是科技在发展，人类在进步是有目共睹的。

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